新突破！6英寸铸造法氧化镓单晶研制获得成功

氧化镓（β-Ga2O3）因其优异的性能和低成本的制造，成为目前最受关注的超宽禁带半导体材料之一，主要用于制备功率器件、射频器件及探测器件，在轨道交通、智能电网、新能源汽车、光伏发电、5G移动通信、国防军工等领域，具有广阔应用前景。

近日，杭州镓仁半导体有限公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓（β-Ga2O3）单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。

镓仁半导体是科创中心首批自主孵育的科学公司之一，专注于氧化镓等宽禁带半导体材料研发、生产和销售，其开创了氧化镓单晶生长新技术，拥有国际、国内发明专利十余项，突破了美国、德国、日本等国在氧化镓衬底材料上的垄断。

铸造法是由科创中心杨德仁院士团队自主研发，用于生长氧化镓单晶的新型熔体法技术。铸造法成本低，且简单可控，其工艺流程短、效率高、尺寸易放大。此外，铸造法拥有完全自主知识产权，中国和美国专利已授权，为突破国外技术垄断，为实现国产化替代奠定坚实基础。未来，团队将逐步突破更低成本、更高质量的氧化镓衬底，推动氧化镓产业高质量发展。该项目还获得了浙江省2023年“领雁”研发攻关计划资助以及杭州市萧山区“5213”项目（卓越类）扶持。