浙大科创中心成功制备2英寸氧化镓晶圆

图片由浙大科创中心提供

日前，记者了解到，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院采用全新的熔体法技术路线成功制备2英寸氧化镓晶圆，使用这种具有完全自主知识产权技术生长的2英寸氧化镓晶圆在国际尚属首次。

面对传统技术的发展瓶颈，浙江大学杭州国际科创中心首席科学家杨德仁院士领导的氧化镓团队发明了全新的熔体法技术路线来研制氧化镓体块单晶以及晶圆。“这块如同镜片一样薄薄的一片，就是刚研制出来的氧化镓晶圆，市场价高达数万元，对高性能功率器件研发有着重要价值。”团队人员介绍。

研发团队张辉教授说，使用新技术路线生长的氧化镓晶圆有两个显著优势，一是使用这种方法生长出的氧化镓晶圆的晶面具有特异性，使得制作的功率器件具有较好的性能；二是由于采用了熔体法新路线，减少了贵金属铱的使用，使得氧化镓生长过程不仅更简单可控，成本也更低，具有更大的产业化前景。

“每克铱的价格高达上千元，可以说是比黄金更珍贵的贵金属。但主流方法生长氧化镓晶体使用的盛放熔体的坩埚，是由贵金属铱制成的，因此过去一直难以降低晶体成本。”张辉说，经检测，浙大杭州科创中心采用新技术路线研制出的这批氧化镓晶圆的导电类型为半绝缘型，光学透过率良好，关键技术指标已达领域内的先进水平。

科研人员表示，下一步，他们计划在2年内制造出直径4英寸级别的大尺寸氧化镓晶圆，进一步助力国内氧化镓材料的产业发展。